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Funktionsprinzip des Wechselrichters
26 Jul 2024

Abschnitt Eingabeschnittstelle:

Im Eingangsbereich gibt es drei Signale: 12-V-DC-Eingang VIN, Betriebsfreigabespannung ENB und Panelstrom-Steuersignal DIM. VIN wird vom Adapter bereitgestellt, und die ENB-Spannung wird von der MCU auf der Hauptplatine bereitgestellt, mit einem Wert von 0 oder 3 V. Wenn ENB = 0 ist, funktioniert der Wechselrichter nicht, während der Wechselrichter bei ENB = 3 V im normalen Betriebszustand ist; Die DIM-Spannung wird von der Hauptplatine bereitgestellt, mit einem Bereich von 0-5 V. Unterschiedliche DIM-Werte werden an den Rückkopplungsanschluss des PWM-Controllers zurückgemeldet, und der vom Wechselrichter an die Last gelieferte Strom ist ebenfalls unterschiedlich. Je kleiner der DIM-Wert, desto größer ist der

vom Wechselrichter abgegebener Strom.

Spannung Startschaltung:


Wenn ENB auf einem hohen Pegel ist, wird Hochspannung ausgegeben, um die Hintergrundbeleuchtungsröhren des Panels aufleuchten zu lassen.


PWM-Controller: Er besteht aus folgenden Funktionen: interne Referenzspannung, Fehlerverstärker, Oszillator und PWM, Überspannungsschutz, Unterspannungsschutz, Kurzschlussschutz und Ausgangstransistor. 


DC-Umwandlung:

Eine Spannungsumwandlungsschaltung besteht aus MOS-Schalttransistoren und Energiespeicherinduktoren. Der Eingangsimpuls wird durch einen Gegentaktverstärker verstärkt, um den MOS-Transistor zum Ausführen von Schaltvorgängen anzutreiben, sodass die Gleichspannung den Induktor lädt und entlädt und das andere Ende des Induktors Wechselspannung erhalten kann.


LC-Schwing- und Ausgangsschaltung:


Stellen Sie sicher, dass zum Lampenstart die erforderliche Spannung von 1600 V vorhanden ist, und reduzieren Sie die Spannung nach dem Lampenstart auf 800 V.


Rückmeldung der Ausgangsspannung:

Wenn die Last arbeitet, spielt die Rückkopplungs-Abtastspannung eine Rolle bei der Stabilisierung der Inventor-Spannungsausgabe. 


Sie können es sich tatsächlich vorstellen. Welche elektronischen Komponenten benötigen Plus- und Minuspole, Widerstände und Induktoren werden im Allgemeinen nicht benötigt. Die Möglichkeit eines Durchschlags einer Diode ist normalerweise auf einen Durchschlag zurückzuführen. Solange die Spannung normal ist, gibt es im Allgemeinen kein Problem. Bei einem Transistor leitet er nicht. Wenn die Plus- und Minusanschlüsse des Spannungsreglers vertauscht werden, wird er beschädigt, aber normalerweise werden einige Schaltkreise durch die unidirektionale Leitung von Dioden geschützt. Bei Kondensatoren wird zwischen Plus und Minus unterschieden, das sind Elektrolytkondensatoren. Wenn die Plus- und Minusanschlüsse
stark vertauscht werden, explodiert das Gehäuse.



The main component is the diode. Switching tube oscillating transformer. Sampling. Widening tube. There is also the principle of parametric switching circuits such as oscillating circuits, resistors, capacitors, etc. The selection of the main power components for inverters is crucial. Currently, the most commonly used power components include Darlington Power Transistors (BJTs), Power Field Effect Transistors (MOSFETs), Insulated Gate Transistors (IGBTs), and Turn Off Thyristors (GTOs). MOSFETs are more commonly used in small capacity and low voltage systems because they have lower on state voltage drop and higher switching frequency. IGBT modules are generally used in high voltage and large capacity systems because their on state resistance increases with increasing voltage. IGBTs have a significant advantage in medium capacity systems, while GTOs are generally used as power components in ultra large capacity (100KVA and above) systems.

Large components: Field effect transistors or IGBTs, transformers, capacitors, diodes, comparators, and main controllers such as 3525. AC-DC-AC inverter and rectification filtering. 


The power level and accuracy are related to the complexity of the circuit.


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), as a new type of power semiconductor field controlled self turn off device, combines the high-speed performance of power MOSFET with the low resistance of bipolar devices. It has the characteristics of high input impedance, low voltage control power consumption, simple control circuit, high voltage resistance, and large current tolerance, and has been widely used in various power conversions. At the same time, major semiconductor manufacturers are constantly developing IGBT technologies with high withstand voltage, high current, high speed, low saturation voltage drop, high reliability, and low cost, mainly using manufacturing processes below 1um, and making some new progress in research and development.

1. Funktionsprinzip eines vollgesteuerten Wechselrichters
Für den häufig verwendeten Hauptstromkreis eines Vollbrückenwechselrichters mit einphasigem Ausgang verwenden die Wechselstromkomponenten die IGBT-Transistoren Q11, Q12, Q13 und Q14. Die Leitung oder Abschaltung der IGBT-Transistoren wird durch PWM-Pulsweitenmodulation gesteuert.

Wenn der Wechselrichterstromkreis an eine Gleichstromversorgung angeschlossen wird, werden zuerst Q11 und Q14 eingeschaltet und dann Q1 und Q13 ausgeschaltet. Der Strom wird vom Pluspol der Gleichstromversorgung ausgegeben, fließt durch Q11, L oder die Primärspule des in Abbildung 1-2 gezeigten Transformators und kehrt zum Minuspol der Stromversorgung bei Q14 zurück. Nachdem Q11 und Q14 ausgeschaltet wurden, werden Q12 und Q13 eingeschaltet und der Strom fließt vom Pluspol der Stromversorgung durch Q13 und die Induktivität der Primärspule 2-1 des Transformators zu Q12 und kehrt zum Minuspol der Stromversorgung zurück. An diesem Punkt haben sich auf der Primärspule des Transformators abwechselnd positive und negative Rechteckwellen gebildet. Mithilfe der Hochfrequenz-PWM-Steuerung wechseln sich zwei Paare von IGBT-Röhren ab und wiederholen sich, wodurch Wechselspannung am Transformator erzeugt wird. Aufgrund der Wirkung des LC-Wechselstromfilters wird am Ausgangsanschluss eine sinusförmige Wechselspannung gebildet.


Wenn Q11 und Q14 ausgeschaltet sind, werden zur Freigabe der gespeicherten Energie die Dioden D11 und D12 am IGBT parallel geschaltet, um die Energie an die Gleichstromversorgung zurückzugeben.



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